Bauelemente der Halbleiterelektronik: Teil 2 by Dr. rer. nat. H. Tholl (auth.) PDF

By Dr. rer. nat. H. Tholl (auth.)

ISBN-10: 3322927628

ISBN-13: 9783322927620

ISBN-10: 3519064197

ISBN-13: 9783519064190

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I. aUg. der Source-Widerstand Rs und somit auch der Widerstand Rp ~ 'os ist. Der Ausgangswiderstand des Transistors in Gate-Schaltung ist nach Gl. 1) groBer als der Ausgangswiderstand TOS der Source-Schaltung. 2) berechnet sich aus der ParaUelschaltung von Ausgangswiderstand Ta und Drain-Widerstand Ro. Dieser wird dann hauptsachIich durch den Drain-Widerstand Ro bestimmt. Beispiel 12. 1 in Gate-Schaltung mit dem Drain-Widerstand Ro = 5 kO und dem Source-Widerstand Rs = 2800 betrieben. Die Schaltung wird von einem Generator mit dem Ausgangswiderstand Ro = 1 kO angesteuert.

5) die Spannungsverstarkung Vu = SR p/(1 + SRp) = 7 (rnA/V) 0,91 kO/[1 + 10 kO) = + 7 (rnA/V) 0,91 kO] = 0,91 kO 0,86 < 1 Der Eingangswiderstand wird nach Gl. 8) = T: R/(1 - V u ) = 1 MO/(1 - 0,86) = 7,37 MO und ist darnit wesentlich groBer als der Gate-Widerstand R. Mit R der Ausgangswiderstand des Transistors Ta = Tos/(1 + S Tos) = 10 kO/[1 + 7 (rnA/V) 10 kO] RG ergibt sich aus Gl. 5) ~ = 141 0 Die Naherung von Gl. 6) liefert ra "'" 1/ S = 1/(7 rnA/V) = 143 0, was nur gering vorn genauen Wert abweicht.

Berechneten wir in Beispiell, S. 10, den Einschaltwiderstand rDS(ON) = 200 Q. 1m Pinch-off-Bereich der Spannung UDS dagegen steigt der Drain-Strom ID nur noch schwach an, und der Ausgangswiderstand rDS ist wie bei den bipolaren Transistoren (rGE) relativ grof3 und liegt im Bereich von 5 kQ bis 50 kQ. Wird ein PET als Schalter betrieben, so ist es wichtig zu wissen, in welchem Bereich der Drain-Source-Widerstand rDs durch Schalten der Gate-Source-Spannung verandert werden kann. 1st z. B. bei einem Sperrschicht- oder einem MOS-PET vom Verarmungstyp bei der Gate-Source-Spannung U GS ,= 0 der PET eingeschaitet, ist sein DrainSource-Widerstand rDS klein, wenn auf3erdem die Drain-Source-Spannung UDS ~ U DSP ist.

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by Jason
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